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STP13NM50N

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MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

STP13NM50N Technisches Datenblatt

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STP13NM50N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 320mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 960 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFIZ34E
HUFA75639P3
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$0 $/Stück
ZVP0120AS
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SFW2955TM
FDD9407-F085
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$0 $/Stück
2SJ656
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$0 $/Stück
SI4483EDY-T1-GE3

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