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STP13NM60N

STP13NM60N

STP13NM60N

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

STP13NM60N Technisches Datenblatt

compliant

STP13NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.27000 $4.27
50 $3.43040 $171.52
100 $3.12540 $312.54
500 $2.53084 $1265.42
1,000 $2.13444 -
2,500 $2.02772 -
5,000 $1.95149 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 790 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFR18N90P
IXFR18N90P
$0 $/Stück
SQ2308CES-T1_BE3
SUD40N08-16-E3
FDS7088N7
PMPB215ENEA/FX
STP9NK50ZFP
DMP3018SFK-7
IRFIBC40GLCPBF

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