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STP16N65M5

STP16N65M5

STP16N65M5

MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3

STP16N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STP16N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.01000 $5.01
50 $4.02940 $201.47
100 $3.67110 $367.11
500 $2.97272 $1486.36
1,000 $2.50712 -
2,500 $2.38176 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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