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STP20NM60FP

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MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP

STP20NM60FP Technisches Datenblatt

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STP20NM60FP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $3.83460 $1917.3
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SIHA21N65EF-E3
NTHL060N090SC1
NTHL060N090SC1
$0 $/Stück
MTSF2P03HDR2
MTSF2P03HDR2
$0 $/Stück
STP45N40DM2AG
IRF7854TRPBF

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