Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STP21N65M5

STP21N65M5

STP21N65M5

MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB

STP21N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STP21N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.47000 $6.47
50 $5.19760 $259.88
100 $4.73550 $473.55
500 $3.83460 $1917.3
1,000 $3.23400 -
2,500 $3.07230 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1950 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STS10P3LLH6
BUK762R4-60E,118
SIR584DP-T1-RE3
IRFI9640GPBF
IRFI9640GPBF
$0 $/Stück
SIR150DP-T1-RE3
IRFI3205PBF
APT20M120JCU3
IRFIB6N60APBF
SIHJ7N65E-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.