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STP22NM60N

STP22NM60N

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MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB

STP22NM60N Technisches Datenblatt

compliant

STP22NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.31562 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 220mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

CSD17308Q3T
CSD17308Q3T
$0 $/Stück
FDD86110
FDD86110
$0 $/Stück
IXFK26N100P
IXFK26N100P
$0 $/Stück
PSMN9R5-100BS,118
STF21N65M5
STF21N65M5
$0 $/Stück

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