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STP24NM65N

STP24NM65N

STP24NM65N

MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB

STP24NM65N Technisches Datenblatt

compliant

STP24NM65N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SUP50N03-5M1P-GE3
STE26NA90
STE26NA90
$0 $/Stück
HUFA75345S3S
HUFA75345S3S
$0 $/Stück
IRF3717
IRF3717
$0 $/Stück
SI4390DY-T1-GE3
IRL640S
IRL640S
$0 $/Stück
BUK96150-55A,118
BUK96150-55A,118
$0 $/Stück
IRL3714STRR

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