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STP30NM30N

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MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB

STP30NM30N Technisches Datenblatt

compliant

STP30NM30N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.91230 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRLU8203PBF
FDS5170N7
FDS5170N7
$0 $/Stück
IRLR120TRR
IRLR120TRR
$0 $/Stück
FCPF11N60T
SIA444DJT-T4-GE3
IRF9540STRR
IRF9540STRR
$0 $/Stück
HUFA75337P3
HUFA75337P3
$0 $/Stück
SPI80N10L
IRF7809PBF

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