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STP45N10F7

STP45N10F7

STP45N10F7

MOSFET N-CH 100V 45A TO220

STP45N10F7 Technisches Datenblatt

nicht konform

STP45N10F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.63000 $2.63
50 $2.11760 $105.88
100 $1.90580 $190.58
500 $1.48226 $741.13
1,000 $1.22815 -
2,500 $1.14345 -
5,000 $1.10110 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1640 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

APT6017LFLLG
FDMA0104
NTTFS5C673NLTWG
NTTFS5C673NLTWG
$0 $/Stück
STI10NM60N
STI10NM60N
$0 $/Stück
NTMJS1D0N04CTWG
NTMJS1D0N04CTWG
$0 $/Stück
IRFZ48RSPBF
IRFZ48RSPBF
$0 $/Stück
IRF6678
IRF6678
$0 $/Stück
STW120NF10
STW120NF10
$0 $/Stück
IRF2804LPBF
DMP10H400SK3-13

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