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STP4N52K3

STP4N52K3

STP4N52K3

MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220

STP4N52K3 Technisches Datenblatt

compliant

STP4N52K3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.64000 $1.64
10 $1.45300 $14.53
100 $1.14810 $114.81
500 $0.89034 $445.17
1,000 $0.70290 -
3,000 $0.65604 -
2677 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 525 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 334 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS6H800NLWFT1G
NVMFS6H800NLWFT1G
$0 $/Stück
SQJ126EP-T1_GE3
NTD4856NT4G
NTD4856NT4G
$0 $/Stück
FDAF75N28
IXFT150N20T
IXFT150N20T
$0 $/Stück

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