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STP60NF10

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MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

STP60NF10 Technisches Datenblatt

nicht konform

STP60NF10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.59000 $3.59
50 $2.93420 $146.71
100 $2.65970 $265.97
500 $2.11078 $1055.39
1,000 $1.78143 -
2,500 $1.67165 -
5,000 $1.61676 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4270 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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