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STP62NS04Z

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MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB

STP62NS04Z Technisches Datenblatt

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STP62NS04Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.83163 -
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 33 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 62A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) Clamped
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1330 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

ZXMP7A17KQTC
IXFN170N25X3
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$0 $/Stück
ECH8656-TL-H
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$0 $/Stück
FDBL0090N40
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$0 $/Stück
IXTA3N120HV
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$0 $/Stück
DMN4025LSD-13
IXFA38N30X3
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$0 $/Stück
IXFR16N120P
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$0 $/Stück
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