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STP8NM50N

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MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

STP8NM50N Technisches Datenblatt

nicht konform

STP8NM50N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.27000 $2.27
50 $1.85240 $92.62
100 $1.67900 $167.9
500 $1.33246 $666.23
1,000 $1.12455 -
2,500 $1.05525 -
5,000 $1.02060 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 364 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SI1302DL-T1-E3
SUD19P06-60-GE3
SIS780DN-T1-GE3
NTTFS2D1N04HLTWG
NTTFS2D1N04HLTWG
$0 $/Stück
ZXMN3B01FTC
IXFP8N85X
IXFP8N85X
$0 $/Stück
IXFA12N65X2
IXFA12N65X2
$0 $/Stück
FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102
$0 $/Stück
PHK31NQ03LT,518

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