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STP8NM60D

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MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB

STP8NM60D Technisches Datenblatt

compliant

STP8NM60D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.67440 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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