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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) | 650 V |
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) | 4A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | 1.55 V @ 4 A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Sperrverzögerungszeit (trr) | 0 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr | 40 µA @ 650 V |
Kapazität @ vr, f | 245pF @ 0V, 1MHz |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (8x8) HV |
Betriebstemperatur - Kontaktstelle | -40°C ~ 175°C |
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