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STS10DN3LH5

STS10DN3LH5

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MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

STS10DN3LH5 Technisches Datenblatt

nicht konform

STS10DN3LH5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.64702 -
5,000 $0.61822 -
12,500 $0.59765 -
5000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.6nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 475pF @ 25V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

FDMD82100
FDMD82100
$0 $/Stück
DMC2700UDM-7
STS8C5H30L
STS8C5H30L
$0 $/Stück
NX7002BKW,115
SI3552DV-T1-E3
RFD3055SM9AS2479
STL66DN3LLH5

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