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STS3C2F100

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MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC

STS3C2F100 Technisches Datenblatt

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STS3C2F100 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.03950 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 460pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

IPI60R199CP
IRF7306TR
EPC2105ENGRT
EPC2105ENGRT
$0 $/Stück
EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT
$0 $/Stück
SIZ900DT-T1-GE3
SIZ916DT-T1-GE3
NDS8926
NDS8926
$0 $/Stück
MP6K13TCR
MP6K13TCR
$0 $/Stück

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