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STS4C3F60L

STS4C3F60L

STS4C3F60L

MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC

STS4C3F60L Technisches Datenblatt

compliant

STS4C3F60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.69200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A, 3A
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1030pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

FDG6318PZ
FDG6318PZ
$0 $/Stück
SI1970DH-T1-E3
IPI60R190C6
ECH8601M-C-TL-H
ECH8601M-C-TL-H
$0 $/Stück
SI7904DN-T1-GE3
NTJD4001NT1
NTJD4001NT1
$0 $/Stück

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