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STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5

STS8DN3LLH5

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

STS8DN3LLH5 Technisches Datenblatt

compliant

STS8DN3LLH5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.72660 -
5,000 $0.69426 -
12,500 $0.67116 -
2492 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 724pF @ 25V
Leistung - max. 2.7W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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