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STW10NK80Z

STW10NK80Z

STW10NK80Z

MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3

STW10NK80Z Technisches Datenblatt

compliant

STW10NK80Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.82000 $4.82
30 $3.92800 $117.84
120 $3.60392 $432.4704
510 $2.97159 $1515.5109
1,020 $2.55002 -
2,520 $2.43652 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTTFS4C02NTAG
NTTFS4C02NTAG
$0 $/Stück
FDMS5672
FDMS5672
$0 $/Stück
IRFR7440TRPBF
SI5441BDC-T1-GE3
DMT15H053SSS-13
BSS138-7-F
AUIRFR6215
RSD201N10TL
RJP020N06T100

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