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STW12N120K5

STW12N120K5

STW12N120K5

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

STW12N120K5 Technisches Datenblatt

nicht konform

STW12N120K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $9.41000 $9.41
30 $7.82400 $234.72
120 $7.12000 $854.4
510 $6.06400 $3092.64
1,020 $5.36000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 690mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1370 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STP11N52K3
STP11N52K3
$0 $/Stück
IXFH46N65X3
IXFH46N65X3
$0 $/Stück
SI3421DV-T1-GE3
FDFME3N311ZT
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$0 $/Stück
IXFA72N30X3
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$0 $/Stück
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