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STW63N65DM2

STW63N65DM2

STW63N65DM2

MOSFET N-CH 650V 65A TO247

STW63N65DM2 Technisches Datenblatt

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STW63N65DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
600 $7.67250 $4603.5
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FQP44N08
SIS890DN-T1-GE3
IRF820ALPBF
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$0 $/Stück
STD12NF06L-1
FDD2670
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$0 $/Stück
IXFA50N20X3
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$0 $/Stück
IXTA1R4N120P
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$0 $/Stück
FDB035N10A
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