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1T6G

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DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

1T6G Technisches Datenblatt

compliant

1T6G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06248 $0.06248
500 $0.0618552 $30.9276
1000 $0.0612304 $61.2304
1500 $0.0606056 $90.9084
2000 $0.0599808 $119.9616
2500 $0.059356 $148.39
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 800 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1 V @ 1 A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 800 V
Kapazität @ vr, f 10pF @ 4V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer T-18, Axial
Lieferantengerätepaket TS-1
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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Zugehörige Teilenummer

B190B-13-F
NSVBAT54M3T5G
NSVBAT54M3T5G
$0 $/Stück
SB007-03C-TB-E
SB007-03C-TB-E
$0 $/Stück
SDT10A45P5-7
BAS40B5000
CDSW4148-G
CDSW4148-G
$0 $/Stück

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