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DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

ES1JLHMTG Technisches Datenblatt

nicht konform

ES1JLHMTG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
15,000 $0.07502 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 600 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 35 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f 8pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-219AB
Lieferantengerätepaket Sub SMA
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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