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ESH1JMHRSG

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DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

ESH1JMHRSG Technisches Datenblatt

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ESH1JMHRSG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 600 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.5 V @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 25 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 1 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f 3pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 2-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket Micro SMA
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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