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F1T6G

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DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

F1T6G Technisches Datenblatt

nicht konform

F1T6G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.07920 $0.0792
500 $0.078408 $39.204
1000 $0.077616 $77.616
1500 $0.076824 $115.236
2000 $0.076032 $152.064
2500 $0.07524 $188.1
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 800 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.3 V @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 500 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 800 V
Kapazität @ vr, f 15pF @ 4V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer T-18, Axial
Lieferantengerätepaket TS-1
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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