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RS1JL M2G

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DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

RS1JL M2G Technisches Datenblatt

compliant

RS1JL M2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
15,000 $0.04250 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 600 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 800mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.3 V @ 800 mA
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 250 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f 10pF @ 4V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer DO-219AB
Lieferantengerätepaket Sub SMA
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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Zugehörige Teilenummer

RHRU50100
RHRU50100
$0 $/Stück
NSVR0620P2T5G
NSVR0620P2T5G
$0 $/Stück
MBR20200
MBR20200
$0 $/Stück
JANS1N5806/TR
B130LB-13-F
APT8DQ60KG
1N2160R
1N2160R
$0 $/Stück
BAS70-G
BAS70-G
$0 $/Stück

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