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SFT12GHA0G

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DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

SFT12GHA0G Technisches Datenblatt

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SFT12GHA0G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
12,000 $0.06400 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Standard
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 100 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 950 mV @ 1 A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 35 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 5 µA @ 100 V
Kapazität @ vr, f 20pF @ 4V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer T-18, Axial
Lieferantengerätepaket TS-1
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 150°C
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