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TSM033NA03CR RLG

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MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN

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TSM033NA03CR RLG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.35924 -
2340 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 129A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1850 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXTA2N100P
IXTA2N100P
$0 $/Stück
BUK7611-55B,118
DMN1008UFDF-7
IXTK5N250
IXTK5N250
$0 $/Stück
IRF40R207

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