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TSM033NB04LCR RLG

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MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN

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TSM033NB04LCR RLG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.81914 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Ta), 121A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 79 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4456 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFSL7762PBF
NVMFS6H858NLT1G
NVMFS6H858NLT1G
$0 $/Stück
2N7002E-7-F
DMN62D1LFD-13
RE1J002YNTCL
BFL4001
BFL4001
$0 $/Stück
FQP4N25
MMFTP3401-AQ
SQJ868EP-T1_BE3

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