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TSM1NB60CW RPG

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MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

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TSM1NB60CW RPG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.18926 -
5,000 $0.17705 -
12,500 $0.17094 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 138 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

SQD100N03-3M4_GE3
SQJA34EP-T1_GE3
IXTP32N65X
IXTP32N65X
$0 $/Stück
DMT68M8LFV-7
PMV40UN2R
PMV40UN2R
$0 $/Stück
DMP1009UFDFQ-13
C3M0120090J
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$0 $/Stück
FDBL86361-F085
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$0 $/Stück

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