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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 25 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 1.9V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 29 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | +16V, -12V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 4100 pF @ 12.5 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Paket / Koffer | 8-PowerTDFN |
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