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CSD16401Q5

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MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON

CSD16401Q5 Technisches Datenblatt

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CSD16401Q5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.06120 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 4.5 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4100 pF @ 12.5 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIHP10N40D-GE3
IXFN280N07
IXFN280N07
$0 $/Stück
APT11N80BC3G
FCP190N65S3R0
FCP190N65S3R0
$0 $/Stück
SQJA20EP-T1_BE3
SFT1431-TL-W
SFT1431-TL-W
$0 $/Stück

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