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CSD17556Q5B

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MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON

CSD17556Q5B Technisches Datenblatt

nicht konform

CSD17556Q5B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.62000 $2.62
500 $2.5938 $1296.9
1000 $2.5676 $2567.6
1500 $2.5414 $3812.1
2000 $2.5152 $5030.4
2500 $2.489 $6222.5
270 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 34A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.65V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7020 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRFU214PBF
IRFU214PBF
$0 $/Stück
CSD18512Q5BT
IXFT26N60P
IXFT26N60P
$0 $/Stück
SQJ463EP-T1_GE3
SI7423DN-T1-GE3
IRF630STRRPBF
SQJA86EP-T1_BE3

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