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CSD86336Q3D

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25V POWERBLOCK N CH MOSFET

CSD86336Q3D Technisches Datenblatt

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CSD86336Q3D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.73360 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Leistung - max. 6W
Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket 8-VSON (3.3x3.3)
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Zugehörige Teilenummer

SI7972DP-T1-GE3
MCH3307-TL-E-SY
MCH3307-TL-E-SY
$0 $/Stück
FDMC8032L
FDMC8032L
$0 $/Stück
NVMFD5C680NLT1G
NVMFD5C680NLT1G
$0 $/Stück
SI7938DP-T1-GE3
TT8M3TR
TT8M3TR
$0 $/Stück
HUF7554S3S
HUF7554S3S
$0 $/Stück
BUK7K6R8-40E,115
ZXMN2AMCTA

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