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CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

CSD87312Q3E Technisches Datenblatt

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CSD87312Q3E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.43120 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 7A , 8V
vgs(th) (max) @ ID 1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250pF @ 15V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket 8-VSON (3.3x3.3)
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Zugehörige Teilenummer

SI1553CDL-T1-BE3
DMN3035LWN-7
SQJ500AEP-T1_BE3
SIZ320DT-T1-GE3
FDC6327C
FDC6327C
$0 $/Stück
CAB760M12HM3
CAB760M12HM3
$0 $/Stück
FDG6304P
FDG6304P
$0 $/Stück
DMN5L06DWK-7-01

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