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LMG3425R050RQZT

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600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT

nicht konform

LMG3425R050RQZT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $21.43000 $21.43
500 $21.2157 $10607.85
1000 $21.0014 $21001.4
1500 $20.7871 $31180.65
2000 $20.5728 $41145.6
2500 $20.3585 $50896.25
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Name Wert
Produktstatus Active
Ausgabekonfiguration Half Bridge
Anwendungen General Purpose
Schnittstelle PWM
Belastungsart Inductive, Capacitive, Resistive
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
rds ein (typisch) -
Strom - Ausgang / Kanal 1.2A
Strom - Spitzenleistung 1.2A
Spannung - Versorgung 7.5V ~ 18V
Spannung - Belastung 7.5V ~ 18V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Merkmale Bootstrap Circuit, Latch Function, Slew Rate Controlled
Fehlerschutz Over Current, Over Temperature, UVLO
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 54-VQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 54-VQFN (12x12)
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