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XP161A1355PR-G

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MOSFET N-CH 20V 4A SOT89

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XP161A1355PR-G Preise und Bestellung

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1,000 $0.34080 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 390 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-89
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

SI4136DY-T1-GE3
CSD18502KCS
CSD18502KCS
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IXFA3N120-TRR
IXFA3N120-TRR
$0 $/Stück
FDS6630A
FDD390N15A
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FDMA905P
FDMA905P
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SIR4602LDP-T1-RE3

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