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2SK2009TE85LF

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2SK2009TE85LF

MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3

SOT-23

nicht konform

2SK2009TE85LF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.18755 -
6,000 $0.17545 -
15,000 $0.16940 -
5976 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 50MA, 2.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 70 pF @ 3 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-59-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FQA18N50V2
NTMYS3D5N04CTWG
NTMYS3D5N04CTWG
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FQD1N80TM
FQD1N80TM
$0 $/Stück
FDS2572
FDS2572
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