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HN4K03JUTE85LF

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MOSFET N-CH 20V 100MA USV

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V
rds ein (max) @ id, vgs 12Ohm @ 10mA, 2.5V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8.5 pF @ 3 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-SSOP
Paket / Koffer 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
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Zugehörige Teilenummer

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$0 $/Stück
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NTP8G202NG
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