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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 100mA (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 12Ohm @ 10mA, 2.5V |
vgs(th) (max) @ ID | - |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | 10V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 8.5 pF @ 3 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 5-SSOP |
Paket / Koffer | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
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