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RN1965(TE85L,F)

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RN1965(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

nicht konform

RN1965(TE85L,F) Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.08820 -
6,000 $0.07938 -
15,000 $0.07056 -
30,000 $0.06615 -
75,000 $0.05880 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 2.2kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 10mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 200mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket US6
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Zugehörige Teilenummer

NSBC114TPDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
$0 $/Stück
SMUN5313DW1T1G
SMUN5313DW1T1G
$0 $/Stück
NHUMD2X
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PIMH9,115
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$0 $/Stück
PRMD10Z
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