TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage von ichome.com

new-10%

Teilenummer des Herstellers:TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Beschreibung:MOSFET P-CH 60V 8A DPAK

RoHs-Status:compliant

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
2,000	$0.46200	-

Auf Lager: Inventory changes frequently.

Send Inquiry

Name	Wert
Produktstatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS)	60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C	8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an)	6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs	104mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID	3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs	19 nC @ 10 V
vgs (max)	+10V, -20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds	890 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	27W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Montageart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK+
Paket / Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63