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TK12A60W,S4VX

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MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS

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TK12A60W,S4VX Preise und Bestellung

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50 $3.21760 $160.88
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 890 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI4128DY-T1-GE3
BUK7606-55B,118
IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
$0 $/Stück
FQP2N40-F080
FQP2N40-F080
$0 $/Stück
IXFP130N15X3
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$0 $/Stück
PHD97NQ03LT,118
ECH8310-TL-H
ECH8310-TL-H
$0 $/Stück
BFL4036-1E
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IXTH16N50D2
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$0 $/Stück

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