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TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

compliant

TK12E80W,S1X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.30000 $3.3
50 $2.65500 $132.75
100 $2.41900 $241.9
500 $1.95880 $979.4
1,000 $1.65200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 570µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400 pF @ 300 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 165W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVHL040N65S3F
NVHL040N65S3F
$0 $/Stück
STP10NK80Z
STP10NK80Z
$0 $/Stück
APT20M120JCU2
IRF7420TRPBF
DMTH4005SK3Q-13
IRFH5025TRPBF
BUK7S0R5-40HJ
IXTA32P20T
IXTA32P20T
$0 $/Stück

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