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TK16G60W,RVQ

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MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

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TK16G60W,RVQ Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 790µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI3469DV-T1-GE3
STF10NM60ND
IRFP460C
IRFSL4010PBF
DMN2080UCB4-7
IRFI820GPBF
IRFI820GPBF
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IXTA15N50L2
IXTA15N50L2
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NTY100N10G
NTY100N10G
$0 $/Stück

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