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TK1R5R04PB,LXGQ

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MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

nicht konform

TK1R5R04PB,LXGQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.82000 $2.82
500 $2.7918 $1395.9
1000 $2.7636 $2763.6
1500 $2.7354 $4103.1
2000 $2.7072 $5414.4
2500 $2.679 $6697.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 160A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 103 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5500 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 205W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK+
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDD3580
SIHU5N50D-GE3
BUK6Y33-60PX
DMTH10H005SCT
FDB8441-F085
FDB8441-F085
$0 $/Stück
SIR4604LDP-T1-GE3

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