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TK31E60W,S1VX

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MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220

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TK31E60W,S1VX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $6.12960 $306.48
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHH20N50E-T1-GE3
IRFR020TRPBF
IRFR020TRPBF
$0 $/Stück
FDP19N40
FDP19N40
$0 $/Stück
SI3433CDV-T1-E3
DMP32D5SFB-7B

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