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TK35A08N1,S4X

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MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

nicht konform

TK35A08N1,S4X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.06000 $1.06
50 $0.84560 $42.28
100 $0.73990 $73.99
500 $0.57380 $286.9
1,000 $0.45300 -
2,500 $0.42280 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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