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TK35E08N1,S1X

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MOSFET N-CH 80V 55A TO220

nicht konform

TK35E08N1,S1X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $0.84560 $42.28
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVTFWS014P04M8LTAG
NVTFWS014P04M8LTAG
$0 $/Stück
CSD18532NQ5B
STL115N10F7AG
FCPF11N65
FQB6N70TM
IRFZ44SPBF
IRFZ44SPBF
$0 $/Stück
IRFR014PBF-BE3

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