Welcome to ichome.com!

logo
Heim

TK5P60W,RVQ

TK5P60W,RVQ

TK5P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK

TK5P60W,RVQ Technisches Datenblatt

nicht konform

TK5P60W,RVQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.76440 -
15624 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI7463ADP-T1-GE3
IXFA6N120P-TRL
IXFA6N120P-TRL
$0 $/Stück
IRL3705ZLPBF
RS3L045GNGZETB
SPA08N50C3
DMT6010SCT
IXTA05N100
IXTA05N100
$0 $/Stück
IXTX60N50L2
IXTX60N50L2
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.