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TK5Q60W,S1VQ

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MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK

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TK5Q60W,S1VQ Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 380 pF @ 300 V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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